STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 53 A, 500 V, 4-Pin ISOTOP STE53NC50

Nr. stoc RS: 485-7383Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STE53NC50
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

53 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tip pachet

ISOTOP

Timp montare

Screw Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

80 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

460 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

310 nC @ 10 V

Latime

25.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

38.2mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

9.1mm

Temperatura minima de lucru

-65 °C

Detalii produs

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 37,88

€ 37,88 Buc. (fara TVA)

€ 45,83

€ 45,83 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 53 A, 500 V, 4-Pin ISOTOP STE53NC50

€ 37,88

€ 37,88 Buc. (fara TVA)

€ 45,83

€ 45,83 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 53 A, 500 V, 4-Pin ISOTOP STE53NC50

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitar
1 - 9€ 37,88
10 - 49€ 34,62
50 - 99€ 32,72
100 - 199€ 28,57
200+€ 26,41

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

53 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tip pachet

ISOTOP

Timp montare

Screw Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

80 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

460 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

310 nC @ 10 V

Latime

25.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

38.2mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

9.1mm

Temperatura minima de lucru

-65 °C

Detalii produs

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze