STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V, 3-Pin DPAK STD80N4F6
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
DeepGate, STripFET
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
36 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
2.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 10,40
€ 1,04 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 12,58
€ 1,258 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 10,40
€ 1,04 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 12,58
€ 1,258 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,04 | € 10,40 |
| 50 - 90 | € 0,98 | € 9,80 |
| 100 - 240 | € 0,88 | € 8,80 |
| 250 - 490 | € 0,85 | € 8,50 |
| 500+ | € 0,82 | € 8,20 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
DeepGate, STripFET
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
36 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
2.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse