STMicroelectronics STripFET F3 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD65N55F3

Nr. stoc RS: 795-9000Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STD65N55F3
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Tip pachet

TO-252

Serie

STripFET F3

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Temperatura maxima de lucru

175°C

Latime

6.2 mm

Inaltime

2.4mm

Lungime

6.6mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Detalii produs

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 10,40

€ 2,08 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 12,58

€ 2,517 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET F3 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD65N55F3
Selectati tipul de ambalaj

€ 10,40

€ 2,08 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 12,58

€ 2,517 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET F3 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD65N55F3

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Tip pachet

TO-252

Serie

STripFET F3

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Temperatura maxima de lucru

175°C

Latime

6.2 mm

Inaltime

2.4mm

Lungime

6.6mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Detalii produs

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe