STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V, 3-Pin DPAK STD65N55F3

Nr. stoc RS: 795-9000Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STD65N55F3
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Serie

STripFET F3

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

8.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

6.2mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

33.5 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

2.4mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 10,65

€ 2,13 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 12,67

€ 2,535 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V, 3-Pin DPAK STD65N55F3
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 10,65
10€ 21,30
15€ 31,95
20€ 42,60
25€ 53,25
30€ 63,90
35€ 74,55
40€ 85,20
45€ 95,85
50€ 106,50
55€ 117,15
60€ 127,80
65€ 138,45
70€ 149,10
75€ 159,75

€ 10,65

€ 2,13 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 12,67

€ 2,535 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V, 3-Pin DPAK STD65N55F3
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 10,65
10€ 21,30
15€ 31,95
20€ 42,60
25€ 53,25
30€ 63,90
35€ 74,55
40€ 85,20
45€ 95,85
50€ 106,50
55€ 117,15
60€ 127,80
65€ 138,45
70€ 149,10
75€ 159,75

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Serie

STripFET F3

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

8.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

6.2mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

33.5 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

2.4mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe