STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5 A, 650 V Enhancement, 3-Pin IPAK STD5NM60T4

Nr. stoc RS: 188-8455Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STD5NM60T4
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Tip pachet

IPAK

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

96W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

2.4 mm

Inaltime

6.2mm

Lungime

6.6mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 5,20

€ 1,04 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 6,29

€ 1,258 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5 A, 650 V Enhancement, 3-Pin IPAK STD5NM60T4
Selectati tipul de ambalaj

€ 5,20

€ 1,04 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 6,29

€ 1,258 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5 A, 650 V Enhancement, 3-Pin IPAK STD5NM60T4

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 5€ 1,04€ 5,20
10 - 95€ 0,88€ 4,40
100 - 495€ 0,68€ 3,40
500 - 995€ 0,57€ 2,85
1000+€ 0,47€ 2,35

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Tip pachet

IPAK

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

96W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

2.4 mm

Inaltime

6.2mm

Lungime

6.6mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe