STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 4 A, 3-Pin DPAK STD5N80K5
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.73 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
60 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.2mm
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Inaltime
2.17mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 2.125,00
€ 0,85 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 2.571,25
€ 1,028 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 2.125,00
€ 0,85 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 2.571,25
€ 1,028 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
2500
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.73 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
60 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.2mm
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Inaltime
2.17mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse