N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD2N80K5

Nr. stoc RS: 829-7072Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STD2N80K5
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+30 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.5 nC @ 10 V

Latime

6.2mm

Transistor Material

Si

Serie

MDmesh K5, SuperMESH5

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

2.4mm

Detalii produs

N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD2N80K5
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD2N80K5

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+30 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.5 nC @ 10 V

Latime

6.2mm

Transistor Material

Si

Serie

MDmesh K5, SuperMESH5

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

2.4mm

Detalii produs

N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe