STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V, 3-Pin DPAK STD25NF10LT4
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET II
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
6.2mm
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
2.4mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 1.900,00
€ 0,76 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 2.299,00
€ 0,92 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 1.900,00
€ 0,76 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 2.299,00
€ 0,92 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
2500
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET II
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
6.2mm
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
2.4mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse