N-Channel MOSFET Transistor, 18 A, 200 V, 3-Pin D-PAK STMicroelectronics STD20N20
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
D-PAK
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
90 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.6mm
Latime
6.2mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-50 °C
Inaltime
2.4mm
Detalii produs
N-Channel MOSFETs, Discontinued
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
5
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
D-PAK
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
90 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.6mm
Latime
6.2mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-50 °C
Inaltime
2.4mm
Detalii produs
N-Channel MOSFETs, Discontinued
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse