N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD17NF25
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Serie
STripFET II
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
6.6mm
Latime
6.2mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
29.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
2.4mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 1,70
Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 2,023
Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 1,70
Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 2,023
Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,70 | € 8,50 |
| 25 - 45 | € 1,57 | € 7,85 |
| 50 - 120 | € 1,40 | € 7,00 |
| 125 - 245 | € 1,26 | € 6,30 |
| 250+ | € 1,19 | € 5,95 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Serie
STripFET II
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
6.6mm
Latime
6.2mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
29.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
2.4mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse