STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 24 A, 60 V, 3-Pin DPAK STD16NF06LT4
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
STripFET
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
85 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.2mm
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
2.4mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1.175,00
€ 0,47 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.398,25
€ 0,559 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 1.175,00
€ 0,47 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.398,25
€ 0,559 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
STripFET
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
85 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.2mm
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
2.4mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse