STMicroelectronics STripFET P-Channel MOSFET, 10 A, 60 V, 3-Pin DPAK STD10P6F6
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
STripFET
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
7.45mm
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
2.38mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1.125,00
€ 0,45 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.361,25
€ 0,544 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 1.125,00
€ 0,45 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.361,25
€ 0,544 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
2500
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
STripFET
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
7.45mm
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
2.38mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse