STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin DPAK STD100N10F7

Nr. stoc RS: 786-3592PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: STD100N10F7
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Serie

STripFET H7

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

120 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

61 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Latime

6.2mm

Inaltime

2.4mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 9,30

€ 1,86 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 11,25

€ 2,251 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin DPAK STD100N10F7
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 9,30
10€ 18,60
15€ 27,90
20€ 37,20
25€ 46,50
30€ 55,80
35€ 65,10
40€ 74,40
45€ 83,70
50€ 93,00
55€ 102,30
60€ 111,60
65€ 120,90
70€ 130,20
75€ 139,50

€ 9,30

€ 1,86 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 11,25

€ 2,251 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin DPAK STD100N10F7

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 9,30
10€ 18,60
15€ 27,90
20€ 37,20
25€ 46,50
30€ 55,80
35€ 65,10
40€ 74,40
45€ 83,70
50€ 93,00
55€ 102,30
60€ 111,60
65€ 120,90
70€ 130,20
75€ 139,50

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Serie

STripFET H7

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

120 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

61 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Latime

6.2mm

Inaltime

2.4mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe