STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF55-06T4

Nr. stoc RS: 188-8527Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STB80NF55-06T4
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Tip pachet

TO-263

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Temperatura minima de lucru

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

142nC

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Temperatura maxima de lucru

175°C

Latime

9.35 mm

Lungime

10.4mm

Inaltime

4.37mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 18,45

€ 3,69 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 22,32

€ 4,465 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF55-06T4
Selectati tipul de ambalaj

€ 18,45

€ 3,69 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 22,32

€ 4,465 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF55-06T4

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 20€ 3,69€ 18,45
25 - 45€ 3,43€ 17,15
50 - 120€ 3,22€ 16,10
125 - 245€ 3,01€ 15,05
250+€ 2,84€ 14,20

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Tip pachet

TO-263

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Temperatura minima de lucru

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

142nC

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Temperatura maxima de lucru

175°C

Latime

9.35 mm

Lungime

10.4mm

Inaltime

4.37mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe