STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 70 A, 30 V, 3-Pin D2PAK STB70NF3LLT4
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Serie
STripFET F3
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Lungime
10.75mm
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
10.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
4.6mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
1000
P.O.A.
Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
1000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Serie
STripFET F3
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Lungime
10.75mm
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
10.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
4.6mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse