N-Channel MOSFET, 70 A, 30 V, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB70NF3LLT4

Nr. stoc RS: 168-7480Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STB70NF3LLT4
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

70 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Serie

STripFET F3

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

12 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

100 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Latime

10.4mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Transistor Material

Si

Lungime

10.75mm

Typical Gate Charge @ Vgs

24 nC @ 4.5 V

Inaltime

4.6mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 70 A, 30 V, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB70NF3LLT4

1000

Disponibil in multiplu de 1
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 70 A, 30 V, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB70NF3LLT4
Informatii indisponibile despre stoc

1000

Disponibil in multiplu de 1
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

70 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Serie

STripFET F3

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

12 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

100 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Latime

10.4mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Transistor Material

Si

Lungime

10.75mm

Typical Gate Charge @ Vgs

24 nC @ 4.5 V

Inaltime

4.6mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe