STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5.8 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-263
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
5.8A
Maximum Drain Source Voltage Vds
900V
Tip pachet
TO-263
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2Ω
Channel Mode
Enhancement
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
46.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
140W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30 V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Standards/Approvals
No
Latime
9.35 mm
Lungime
10.4mm
Inaltime
4.6mm
Automotive Standard
No
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 1.350,00
€ 1,35 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 1.633,50
€ 1,634 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 1.350,00
€ 1,35 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 1.633,50
€ 1,634 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1000
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
5.8A
Maximum Drain Source Voltage Vds
900V
Tip pachet
TO-263
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2Ω
Channel Mode
Enhancement
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
46.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
140W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30 V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Standards/Approvals
No
Latime
9.35 mm
Lungime
10.4mm
Inaltime
4.6mm
Automotive Standard
No
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse