STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 5.8 A, 900 V, 3-Pin D2PAK STB6NK90ZT4
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
9.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
4.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 1.350,00
€ 1,35 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 1.633,50
€ 1,634 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 1.350,00
€ 1,35 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 1.633,50
€ 1,634 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1000
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
9.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
4.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse