N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB60NF06LT4
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
STripFET II
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Latime
9.35mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Inaltime
4.6mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-65 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 1.200,00
€ 1,20 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 1.428,00
€ 1,428 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 1.200,00
€ 1,20 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 1.428,00
€ 1,428 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
STripFET II
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Latime
9.35mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Inaltime
4.6mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-65 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse