STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V, 3-Pin D2PAK STB24NM60N
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Serie
MDmesh
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
10.75mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Latime
10.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
4.6mm
Detalii produs
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 35,20
€ 3,52 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 41,89
€ 4,19 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
10
€ 35,20
€ 3,52 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 41,89
€ 4,19 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
10
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 10 - 99 | € 3,52 |
| 100 - 499 | € 3,13 |
| 500 - 999 | € 2,73 |
| 1000+ | € 2,35 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Serie
MDmesh
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
10.75mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Latime
10.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
4.6mm
Detalii produs
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse