STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V, 3-Pin D2PAK STB24NM60N

Nr. stoc RS: 760-9499PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: STB24NM60N
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

MDmesh

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

46 nC @ 10 V

Latime

10.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.75mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

4.6mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 11,46

€ 5,73 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 13,87

€ 6,93 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V, 3-Pin D2PAK STB24NM60N
Selectati tipul de ambalaj

€ 11,46

€ 5,73 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 13,87

€ 6,93 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V, 3-Pin D2PAK STB24NM60N

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

MDmesh

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

46 nC @ 10 V

Latime

10.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.75mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

4.6mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe