STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Nr. stoc RS: 760-9499PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: STB24NM60N
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Tip pachet

TO-263

Serie

MDmesh

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

10.4 mm

Inaltime

4.6mm

Lungime

10.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 11,46

€ 5,73 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 13,87

€ 6,93 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
Selectati tipul de ambalaj

€ 11,46

€ 5,73 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 13,87

€ 6,93 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Tip pachet

TO-263

Serie

MDmesh

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

10.4 mm

Inaltime

4.6mm

Lungime

10.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe