STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 17 A, 500 V, 3-Pin D2PAK STB23NM50N
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Serie
MDmesh
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Lungime
10.75mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
45 nC @ 10 V
Latime
10.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
4.6mm
Detalii produs
N-Channel MDmesh™, 500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 9,74
€ 4,87 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 11,79
€ 5,89 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
2
€ 9,74
€ 4,87 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 11,79
€ 5,89 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
2
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Serie
MDmesh
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Lungime
10.75mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
45 nC @ 10 V
Latime
10.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
4.6mm
Detalii produs
N-Channel MDmesh™, 500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse