STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V, 3-Pin D2PAK STB160N75F3

Nr. stoc RS: 760-9828PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: STB160N75F3
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Serie

STripFET

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3.7 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

330 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

85 nC @ 10 V

Latime

10.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.75mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

4.6mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 3,84

€ 3,84 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 4,65

€ 4,65 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V, 3-Pin D2PAK STB160N75F3
Selectati tipul de ambalaj

€ 3,84

€ 3,84 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 4,65

€ 4,65 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V, 3-Pin D2PAK STB160N75F3

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Serie

STripFET

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3.7 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

330 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

85 nC @ 10 V

Latime

10.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.75mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

4.6mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe