STMicroelectronics STripFET F3 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
75V
Tip pachet
TO-263
Serie
STripFET F3
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Power Dissipation Pd
310W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
160nC
Temperatura maxima de lucru
175°C
Latime
9.35 mm
Inaltime
4.6mm
Lungime
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 1.300,00
€ 1,30 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 1.573,00
€ 1,573 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 1.300,00
€ 1,30 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 1.573,00
€ 1,573 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1000
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
75V
Tip pachet
TO-263
Serie
STripFET F3
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Power Dissipation Pd
310W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
160nC
Temperatura maxima de lucru
175°C
Latime
9.35 mm
Inaltime
4.6mm
Lungime
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse