STMicroelectronics STP12NM50 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Nr. stoc RS: 188-8281Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STB12NM50T4
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Tip pachet

TO-263

Serie

STP12NM50

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

350mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

160W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Frecventa minima de auto-rezonanta

-65°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

9.35 mm

Lungime

10.4mm

Inaltime

4.37mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 1.960,00

€ 1,96 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 2.371,60

€ 2,372 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

STMicroelectronics STP12NM50 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263

€ 1.960,00

€ 1,96 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 2.371,60

€ 2,372 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

STMicroelectronics STP12NM50 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Tip pachet

TO-263

Serie

STP12NM50

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

350mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

160W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Frecventa minima de auto-rezonanta

-65°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

9.35 mm

Lungime

10.4mm

Inaltime

4.37mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe