STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin D2PAK STB120NF10T4
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET II
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
10.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
312 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
172 nC @ 10 V
Latime
9.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 39,10
€ 3,91 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 47,31
€ 4,731 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
10
€ 39,10
€ 3,91 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 47,31
€ 4,731 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
10
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 10 - 24 | € 3,91 | € 7,82 |
| 26 - 98 | € 3,68 | € 7,36 |
| 100 - 498 | € 2,92 | € 5,84 |
| 500+ | € 2,56 | € 5,12 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET II
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
10.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
312 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
172 nC @ 10 V
Latime
9.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse