STMicroelectronics STB11NM80 Type N-Channel MDmesh Power MOSFET, 11 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Nr. stoc RS: 188-8280Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STB11NM80T4
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MDmesh Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Tip pachet

TO-263

Series

STB11NM80

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.4Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-65°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43.6nC

Forward Voltage Vf

0.86V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

9.35 mm

Inaltime

4.37mm

Lungime

10.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 3.480,00

€ 3,48 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 4.210,80

€ 4,211 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

STMicroelectronics STB11NM80 Type N-Channel MDmesh Power MOSFET, 11 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

€ 3.480,00

€ 3,48 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 4.210,80

€ 4,211 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

STMicroelectronics STB11NM80 Type N-Channel MDmesh Power MOSFET, 11 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MDmesh Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Tip pachet

TO-263

Series

STB11NM80

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.4Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-65°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43.6nC

Forward Voltage Vf

0.86V

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

9.35 mm

Inaltime

4.37mm

Lungime

10.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe