STMicroelectronics STripFET F7 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin D2PAK STB100N6F7

Nr. stoc RS: 906-4668Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STB100N6F7
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

STripFET F7

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

9.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12.6 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

4.6mm

Forward Diode Voltage

1.2V

Detalii produs

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 9,30

€ 1,86 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 11,25

€ 2,251 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET F7 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin D2PAK STB100N6F7
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 9,30
10€ 18,60
15€ 27,90
20€ 37,20
25€ 46,50
30€ 55,80
35€ 65,10
40€ 74,40
45€ 83,70
50€ 93,00
55€ 102,30
60€ 111,60
65€ 120,90
70€ 130,20
75€ 139,50

€ 9,30

€ 1,86 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 11,25

€ 2,251 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET F7 N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin D2PAK STB100N6F7

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 9,30
10€ 18,60
15€ 27,90
20€ 37,20
25€ 46,50
30€ 55,80
35€ 65,10
40€ 74,40
45€ 83,70
50€ 93,00
55€ 102,30
60€ 111,60
65€ 120,90
70€ 130,20
75€ 139,50

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

STripFET F7

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

9.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12.6 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

4.6mm

Forward Diode Voltage

1.2V

Detalii produs

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe