STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK STB100N10F7
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET H7
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
9.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
61 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 75,25
€ 3,01 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 91,05
€ 3,642 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
25
€ 75,25
€ 3,01 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 91,05
€ 3,642 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
25
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 3,01 | € 15,05 |
| 50 - 120 | € 2,68 | € 13,40 |
| 125 - 245 | € 2,39 | € 11,95 |
| 250+ | € 2,25 | € 11,25 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET H7
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
9.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
61 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse