STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK STB100N10F7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET H7
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
61 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Latime
9.35mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
4.6mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 85,25
€ 3,41 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 101,45
€ 4,058 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
25
€ 85,25
€ 3,41 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 101,45
€ 4,058 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
25
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 3,41 | € 17,05 |
| 50 - 120 | € 3,04 | € 15,20 |
| 125 - 245 | € 2,71 | € 13,55 |
| 250+ | € 2,54 | € 12,70 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
STripFET H7
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
61 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Latime
9.35mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
4.6mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse