STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Power MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 2-Pin TO-252 SGT350R70GTK

Nr. stoc RS: 719-638Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SGT350R70GTK
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P-Channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Series

G-HEMT

Tip pachet

TO-252

Montare

Surface Mount

Numar pini

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

350mΩ

Channel Mode

Enhancement

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

47W

Temperatura maxima de lucru

150°C

Lungime

6.2mm

Inaltime

2.4mm

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 0,74

€ 0,74 Buc. (fara TVA)

€ 0,90

€ 0,90 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Power MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 2-Pin TO-252 SGT350R70GTK

€ 0,74

€ 0,74 Buc. (fara TVA)

€ 0,90

€ 0,90 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Power MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 2-Pin TO-252 SGT350R70GTK

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P-Channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Series

G-HEMT

Tip pachet

TO-252

Montare

Surface Mount

Numar pini

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

350mΩ

Channel Mode

Enhancement

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

47W

Temperatura maxima de lucru

150°C

Lungime

6.2mm

Inaltime

2.4mm

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe