STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor, 29 A, 700 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT SGT080R70ILB

Nr. stoc RS: 719-632Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SGT080R70ILB
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

Transistor

Channel Type

P-Channel

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Tip pachet

PowerFLAT

Series

G-HEMT

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.2nC

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-6 to 7 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

8.1 mm

Lungime

8.1mm

Inaltime

0.9mm

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 2,81

€ 2,81 Buc. (fara TVA)

€ 3,40

€ 3,40 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor, 29 A, 700 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT SGT080R70ILB

€ 2,81

€ 2,81 Buc. (fara TVA)

€ 3,40

€ 3,40 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor, 29 A, 700 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT SGT080R70ILB

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

Transistor

Channel Type

P-Channel

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Tip pachet

PowerFLAT

Series

G-HEMT

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.2nC

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-6 to 7 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

8.1 mm

Lungime

8.1mm

Inaltime

0.9mm

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe