STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 20 A, 125 V, 4-Pin M174 SD2931-10W

Nr. stoc RS: 917-3356Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SD2931-10W
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

125 V

Tip pachet

M174

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

389 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

24.89mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

26.67mm

Temperatura maxima de lucru

+200 °C

Inaltime

4.11mm

Detalii produs

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 83,16

€ 83,16 Buc. (fara TVA)

€ 100,62

€ 100,62 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 20 A, 125 V, 4-Pin M174 SD2931-10W
Selectati tipul de ambalaj

€ 83,16

€ 83,16 Buc. (fara TVA)

€ 100,62

€ 100,62 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 20 A, 125 V, 4-Pin M174 SD2931-10W

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

CantitatePret unitar
1 - 4€ 83,16
5 - 9€ 80,73
10+€ 77,49

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

125 V

Tip pachet

M174

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

389 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

24.89mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

26.67mm

Temperatura maxima de lucru

+200 °C

Inaltime

4.11mm

Detalii produs

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe