STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
119A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Tip pachet
Hip-247
Serie
SCTWA90N65G2V-4
Montare
Surface
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
24mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
656W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
22 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
157nC
Forward Voltage Vf
2.5V
Temperatura maxima de lucru
200°C
Latime
21.1 mm
Inaltime
5.1mm
Lungime
15.9mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 847,20
€ 28,24 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 1.025,11
€ 34,17 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
€ 847,20
€ 28,24 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 1.025,11
€ 34,17 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
30
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
119A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Tip pachet
Hip-247
Serie
SCTWA90N65G2V-4
Montare
Surface
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
24mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
656W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
22 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
157nC
Forward Voltage Vf
2.5V
Temperatura maxima de lucru
200°C
Latime
21.1 mm
Inaltime
5.1mm
Lungime
15.9mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse