STMicroelectronics SCTWA35N65G2V Type N-Channel SiC Power Module, 45 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247

Nr. stoc RS: 204-3957Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCTWA35N65G2V
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Product Type

SiC Power Module

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Tip pachet

Hip-247

Serie

SCTWA35N65G2V

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.072Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Forward Voltage Vf

3.3V

Temperatura maxima de lucru

200°C

Latime

5.1 mm

Inaltime

41.2mm

Lungime

15.9mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 377,70

€ 12,59 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 457,02

€ 15,234 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

STMicroelectronics SCTWA35N65G2V Type N-Channel SiC Power Module, 45 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247

30

Disponibil in multiplu de 30
30€ 377,70
60€ 755,40
90€ 1.133,10
120€ 1.510,80
150€ 1.888,50
180€ 2.266,20
210€ 2.643,90
240€ 3.021,60
270€ 3.399,30
300€ 3.777,00
330€ 4.154,70
360€ 4.532,40
390€ 4.910,10
420€ 5.287,80
450€ 5.665,50

€ 377,70

€ 12,59 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 457,02

€ 15,234 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

STMicroelectronics SCTWA35N65G2V Type N-Channel SiC Power Module, 45 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247

Informatii despre stoc temporar indisponibile

30

Disponibil in multiplu de 30
30€ 377,70
60€ 755,40
90€ 1.133,10
120€ 1.510,80
150€ 1.888,50
180€ 2.266,20
210€ 2.643,90
240€ 3.021,60
270€ 3.399,30
300€ 3.777,00
330€ 4.154,70
360€ 4.532,40
390€ 4.910,10
420€ 5.287,80
450€ 5.665,50

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Product Type

SiC Power Module

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Tip pachet

Hip-247

Serie

SCTWA35N65G2V

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.072Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Forward Voltage Vf

3.3V

Temperatura maxima de lucru

200°C

Latime

5.1 mm

Inaltime

41.2mm

Lungime

15.9mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe