STMicroelectronics SCTWA35N65G2V SiC N-Channel SiC Power Module, 45 A, 650 V, 3-Pin HiP247 SCTWA35N65G2V

Nr. stoc RS: 204-3957Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCTWA35N65G2V
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

SCTWA35N65G2V

Tip pachet

Hip247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.072 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 384,00

€ 12,80 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 464,64

€ 15,488 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

STMicroelectronics SCTWA35N65G2V SiC N-Channel SiC Power Module, 45 A, 650 V, 3-Pin HiP247 SCTWA35N65G2V

30

Disponibil in multiplu de 30
30€ 384,00
60€ 768,00
90€ 1.152,00
120€ 1.536,00
150€ 1.920,00
180€ 2.304,00
210€ 2.688,00
240€ 3.072,00
270€ 3.456,00
300€ 3.840,00
330€ 4.224,00
360€ 4.608,00
390€ 4.992,00
420€ 5.376,00
450€ 5.760,00

€ 384,00

€ 12,80 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 464,64

€ 15,488 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

STMicroelectronics SCTWA35N65G2V SiC N-Channel SiC Power Module, 45 A, 650 V, 3-Pin HiP247 SCTWA35N65G2V

Informatii despre stoc temporar indisponibile

30

Disponibil in multiplu de 30
30€ 384,00
60€ 768,00
90€ 1.152,00
120€ 1.536,00
150€ 1.920,00
180€ 2.304,00
210€ 2.688,00
240€ 3.072,00
270€ 3.456,00
300€ 3.840,00
330€ 4.224,00
360€ 4.608,00
390€ 4.992,00
420€ 5.376,00
450€ 5.760,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

SCTWA35N65G2V

Tip pachet

Hip247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.072 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe