STMicroelectronics SCTW90 Type N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247

Nr. stoc RS: 201-0886Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCTW90N65G2V
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

119A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Tip pachet

Hip-247

Series

SCTW90

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

565W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

18 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

157nC

Forward Voltage Vf

2.5V

Temperatura maxima de lucru

200°C

Latime

5.15 mm

Inaltime

20.15mm

Lungime

15.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 829,20

€ 27,64 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 1.003,33

€ 33,444 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

STMicroelectronics SCTW90 Type N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247

30

Disponibil in multiplu de 30
30€ 829,20
60€ 1.658,40
90€ 2.487,60
120€ 3.316,80
150€ 4.146,00
180€ 4.975,20
210€ 5.804,40
240€ 6.633,60
270€ 7.462,80
300€ 8.292,00
330€ 9.121,20
360€ 9.950,40
390€ 10.779,60
420€ 11.608,80
450€ 12.438,00

€ 829,20

€ 27,64 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 1.003,33

€ 33,444 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

STMicroelectronics SCTW90 Type N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247

Informatii despre stoc temporar indisponibile

30

Disponibil in multiplu de 30
30€ 829,20
60€ 1.658,40
90€ 2.487,60
120€ 3.316,80
150€ 4.146,00
180€ 4.975,20
210€ 5.804,40
240€ 6.633,60
270€ 7.462,80
300€ 8.292,00
330€ 9.121,20
360€ 9.950,40
390€ 10.779,60
420€ 11.608,80
450€ 12.438,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

119A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Tip pachet

Hip-247

Series

SCTW90

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

565W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

18 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

157nC

Forward Voltage Vf

2.5V

Temperatura maxima de lucru

200°C

Latime

5.15 mm

Inaltime

20.15mm

Lungime

15.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe