STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK

Nr. stoc RS: 202-5485Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCTW100N65G2AG
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Tip pachet

H2PAK

Serie

SCT

Montare

Surface

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.105Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Power Dissipation Pd

420W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

162nC

Forward Voltage Vf

2.8V

Temperatura maxima de lucru

200°C

Latime

5.15 mm

Inaltime

34.95mm

Lungime

15.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 859,20

€ 28,64 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 1.039,63

€ 34,654 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK

€ 859,20

€ 28,64 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 1.039,63

€ 34,654 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Tip pachet

H2PAK

Serie

SCT

Montare

Surface

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.105Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Power Dissipation Pd

420W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

162nC

Forward Voltage Vf

2.8V

Temperatura maxima de lucru

200°C

Latime

5.15 mm

Inaltime

34.95mm

Lungime

15.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe