STMicroelectronics SCTH90 Type N-Channel MOSFET, 116 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK SCTH90N65G2V-7

Nr. stoc RS: 201-0869Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCTH90N65G2V-7
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

116A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Serie

SCTH90

Tip pachet

H2PAK

Montare

Surface

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

157nC

Maximum Power Dissipation Pd

484W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Temperatura maxima de lucru

175°C

Inaltime

10.4mm

Standards/Approvals

No

Latime

4.8 mm

Lungime

15.25mm

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 26,01

€ 26,01 Buc. (fara TVA)

€ 31,47

€ 31,47 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCTH90 Type N-Channel MOSFET, 116 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK SCTH90N65G2V-7
Selectati tipul de ambalaj

€ 26,01

€ 26,01 Buc. (fara TVA)

€ 31,47

€ 31,47 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCTH90 Type N-Channel MOSFET, 116 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK SCTH90N65G2V-7

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

116A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Serie

SCTH90

Tip pachet

H2PAK

Montare

Surface

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

157nC

Maximum Power Dissipation Pd

484W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Temperatura maxima de lucru

175°C

Inaltime

10.4mm

Standards/Approvals

No

Latime

4.8 mm

Lungime

15.25mm

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe