STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET Module, 33 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK-7 SCTH40N120G2V7AG

Nr. stoc RS: 202-5482Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCTH40N120G2V7AG
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

SCT

Tip pachet

H²PAK-7

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance

0.105 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

P.O.A.

Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET Module, 33 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK-7 SCTH40N120G2V7AG

P.O.A.

Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET Module, 33 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK-7 SCTH40N120G2V7AG

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

SCT

Tip pachet

H²PAK-7

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance

0.105 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe