STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
45A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Tip pachet
H2PAK
Montare
Surface
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
67mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
208W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
22 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
14nC
Forward Voltage Vf
3.3V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Latime
4.8 mm
Inaltime
15.25mm
Lungime
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 1.346,00
€ 13,46 Buc. (Pe o rola de 100) (fara TVA)
€ 1.628,66
€ 16,287 Buc. (Pe o rola de 100) (cu TVA)
100
€ 1.346,00
€ 13,46 Buc. (Pe o rola de 100) (fara TVA)
€ 1.628,66
€ 16,287 Buc. (Pe o rola de 100) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
100
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
45A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Tip pachet
H2PAK
Montare
Surface
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
67mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
208W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
22 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
14nC
Forward Voltage Vf
3.3V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Latime
4.8 mm
Inaltime
15.25mm
Lungime
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse