STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT30N120

Nr. stoc RS: 907-4741Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT30N120
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Tip pachet

Hip-247

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

100mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

270W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

105nC

Forward Voltage Vf

3.5V

Temperatura maxima de lucru

200°C

Latime

5.15 mm

Inaltime

20.15mm

Lungime

15.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalii produs

N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, STMicroelectronics

Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and compact systems.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 20,72

€ 20,72 Buc. (fara TVA)

€ 25,07

€ 25,07 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT30N120
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 20,72
2€ 41,44
3€ 62,16
4€ 82,88
5€ 103,60
6€ 124,32
7€ 145,04
8€ 165,76
9€ 186,48
10€ 207,20
11€ 227,92
12€ 248,64
13€ 269,36
14€ 290,08
15€ 310,80

€ 20,72

€ 20,72 Buc. (fara TVA)

€ 25,07

€ 25,07 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT30N120

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 20,72
2€ 41,44
3€ 62,16
4€ 82,88
5€ 103,60
6€ 124,32
7€ 145,04
8€ 165,76
9€ 186,48
10€ 207,20
11€ 227,92
12€ 248,64
13€ 269,36
14€ 290,08
15€ 310,80

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Tip pachet

Hip-247

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

100mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

270W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

105nC

Forward Voltage Vf

3.5V

Temperatura maxima de lucru

200°C

Latime

5.15 mm

Inaltime

20.15mm

Lungime

15.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalii produs

N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, STMicroelectronics

Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and compact systems.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe