STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
20A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Series
SiC MOSFET
Tip pachet
H2PAK-2
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
203mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
150W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
45nC
Temperatura maxima de lucru
175°C
Standards/Approvals
No
Latime
4.7 mm
Inaltime
10.4mm
Lungime
15.8mm
Automotive Standard
No
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 11.200,00
€ 11,20 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 13.552,00
€ 13,552 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 11.200,00
€ 11,20 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 13.552,00
€ 13,552 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1000
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
20A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Series
SiC MOSFET
Tip pachet
H2PAK-2
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
203mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
150W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
45nC
Temperatura maxima de lucru
175°C
Standards/Approvals
No
Latime
4.7 mm
Inaltime
10.4mm
Lungime
15.8mm
Automotive Standard
No
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse