STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2

Nr. stoc RS: 201-4415Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT20N120H
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Tip pachet

H2PAK-2

Serie

SiC MOSFET

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

203mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45nC

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Temperatura maxima de lucru

175°C

Latime

4.7 mm

Lungime

15.8mm

Inaltime

10.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 11.330,00

€ 11,33 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 13.709,30

€ 13,709 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2

1000

Disponibil in multiplu de 1000
1000€ 11.330,00
2000€ 22.660,00
3000€ 33.990,00
4000€ 45.320,00
5000€ 56.650,00
6000€ 67.980,00
7000€ 79.310,00
8000€ 90.640,00
9000€ 101.970,00
10000€ 113.300,00
11000€ 124.630,00
12000€ 135.960,00
13000€ 147.290,00
14000€ 158.620,00
15000€ 169.950,00

€ 11.330,00

€ 11,33 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 13.709,30

€ 13,709 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2

Informatii despre stoc temporar indisponibile

1000

Disponibil in multiplu de 1000
1000€ 11.330,00
2000€ 22.660,00
3000€ 33.990,00
4000€ 45.320,00
5000€ 56.650,00
6000€ 67.980,00
7000€ 79.310,00
8000€ 90.640,00
9000€ 101.970,00
10000€ 113.300,00
11000€ 124.630,00
12000€ 135.960,00
13000€ 147.290,00
14000€ 158.620,00
15000€ 169.950,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Tip pachet

H2PAK-2

Serie

SiC MOSFET

Montare

Surface

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

203mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45nC

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Temperatura maxima de lucru

175°C

Latime

4.7 mm

Lungime

15.8mm

Inaltime

10.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe