STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin

Nr. stoc RS: 215-245Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT070W120G3-4AG
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Serie

SCT

Montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

63mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Maximum Power Dissipation Pd

236W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-10 to 22 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Temperatura maxima de lucru

200°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 13,25

€ 13,25 Buc. (fara TVA)

€ 16,03

€ 16,03 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin
Selectati tipul de ambalaj

€ 13,25

€ 13,25 Buc. (fara TVA)

€ 16,03

€ 16,03 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Serie

SCT

Montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

63mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Maximum Power Dissipation Pd

236W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-10 to 22 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Temperatura maxima de lucru

200°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe