STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
30A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Tip pachet
H2PAK-7
Serie
SCT
Montare
Surface
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
63mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
37nC
Maximum Power Dissipation Pd
224W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
22 V
Forward Voltage Vf
3V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Temperatura maxima de lucru
175°C
Latime
10.4 mm
Lungime
15.25mm
Standards/Approvals
RoHS
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 11.000,00
€ 11,00 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 13.310,00
€ 13,31 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 11.000,00
€ 11,00 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 13.310,00
€ 13,31 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1000
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
30A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Tip pachet
H2PAK-7
Serie
SCT
Montare
Surface
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
63mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
37nC
Maximum Power Dissipation Pd
224W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
22 V
Forward Voltage Vf
3V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Temperatura maxima de lucru
175°C
Latime
10.4 mm
Lungime
15.25mm
Standards/Approvals
RoHS
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse