STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET, 56 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT025W120G3-4

Nr. stoc RS: 719-470Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT025W120G3-4
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Serie

SCT

Tip pachet

Hip-247-4

Montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

2.7V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Maximum Power Dissipation Pd

388W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Temperatura maxima de lucru

175°C

Latime

5.1 mm

Lungime

15.9mm

Inaltime

25.27mm

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 22,51

€ 22,51 Buc. (fara TVA)

€ 27,24

€ 27,24 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET, 56 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT025W120G3-4

€ 22,51

€ 22,51 Buc. (fara TVA)

€ 27,24

€ 27,24 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET, 56 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT025W120G3-4

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitar
1 - 9€ 22,51
10 - 49€ 19,96
50 - 99€ 18,22
100+€ 17,18

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Serie

SCT

Tip pachet

Hip-247-4

Montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

2.7V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Maximum Power Dissipation Pd

388W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Temperatura maxima de lucru

175°C

Latime

5.1 mm

Lungime

15.9mm

Inaltime

25.27mm

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe