STMicroelectronics SCT MOSFET, 55 A, 1200 V H2PAK-7 SCT025H120G3-7

Nr. stoc RS: 365-165Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT025H120G3-7
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Tip pachet

H2PAK-7

Serie

SCT

Montare

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Temperatura maxima de lucru

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 20.980,00

€ 20,98 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 25.385,80

€ 25,386 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

STMicroelectronics SCT MOSFET, 55 A, 1200 V H2PAK-7 SCT025H120G3-7

€ 20.980,00

€ 20,98 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 25.385,80

€ 25,386 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

STMicroelectronics SCT MOSFET, 55 A, 1200 V H2PAK-7 SCT025H120G3-7

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Tip pachet

H2PAK-7

Serie

SCT

Montare

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Temperatura maxima de lucru

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe