STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V, 4-Pin HiP247-4 SCT018W65G3-4AG

Nr. stoc RS: 482-971Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT018W65G3-4AG
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

HiP247-4

Serie

SCT

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 34,23

€ 34,23 Buc. (fara TVA)

€ 41,42

€ 41,42 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V, 4-Pin HiP247-4 SCT018W65G3-4AG

€ 34,23

€ 34,23 Buc. (fara TVA)

€ 41,42

€ 41,42 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V, 4-Pin HiP247-4 SCT018W65G3-4AG

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitar
1 - 4€ 34,23
5+€ 32,90

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

HiP247-4

Serie

SCT

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe