STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG

Nr. stoc RS: 215-225Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT018H65G3AG
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Tip pachet

H2PAK-7

Serie

SCT

Montare

Through Hole

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

79.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

385W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Temperatura maxima de lucru

75°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 23.990,00

€ 23,99 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 29.027,90

€ 29,028 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG

€ 23.990,00

€ 23,99 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)

€ 29.027,90

€ 29,028 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Tip pachet

H2PAK-7

Serie

SCT

Montare

Through Hole

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

79.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

385W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Temperatura maxima de lucru

75°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe