STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG

Nr. stoc RS: 215-226PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT018H65G3AG
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

SCT

Tip pachet

H²PAK-7

Timp montare

Through Hole

Numar pini

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 300,70

€ 30,07 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 363,85

€ 36,38 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG
Selectati tipul de ambalaj

€ 300,70

€ 30,07 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 363,85

€ 36,38 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitar
10 - 99€ 30,07
100+€ 27,46

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

SCT

Tip pachet

H²PAK-7

Timp montare

Through Hole

Numar pini

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe